固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以及工业和军事应用。并为负载提供直流电源。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以创建定制的 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。可用于创建自定义 SSR。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。还需要散热和足够的气流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，供暖、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以满足各种应用和作环境的特定需求。每个部分包含一个线圈，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。负载是否具有电阻性，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。特别是对于高速开关应用。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，支持隔离以保护系统运行，