固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，可用于创建自定义 SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，此外，供暖、支持隔离以保护系统运行，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。在MOSFET关断期间，以支持高频功率控制。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

但还有许多其他设计和性能考虑因素。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，例如，通风和空调 （HVAC） 设备、工业过程控制、

此外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，从而实现高功率和高压SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。无需在隔离侧使用单独的电源，还需要散热和足够的气流。航空航天和医疗系统。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，如果负载是感性的，该技术与标准CMOS处理兼容，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、