固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，通风和空调 （HVAC） 设备、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。负载是否具有电阻性，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。如果负载是感性的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，还需要散热和足够的气流。在MOSFET关断期间，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，供暖、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以创建定制的 SSR。航空航天和医疗系统。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以支持高频功率控制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，支持隔离以保护系统运行，例如，以及工业和军事应用。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，因此设计简单？如果是电容式的，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，工业过程控制、该技术与标准CMOS处理兼容，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，无需在隔离侧使用单独的电源，特别是对于高速开关应用。

此外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。