固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，模块化部分和接收器或解调器部分。该技术与标准CMOS处理兼容，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，可用于创建自定义 SSR。以创建定制的 SSR。工业过程控制、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。在MOSFET关断期间，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并为负载提供直流电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。支持隔离以保护系统运行，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

此外，涵盖白色家电、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以支持高频功率控制。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

例如，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，通风和空调 （HVAC） 设备、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而实现高功率和高压SSR。每个部分包含一个线圈，以满足各种应用和作环境的特定需求。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，此外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，特别是对于高速开关应用。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，