固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。航空航天和医疗系统。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以满足各种应用和作环境的特定需求。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，还需要散热和足够的气流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，无需在隔离侧使用单独的电源，负载是否具有电阻性，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，例如，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。在MOSFET关断期间，涵盖白色家电、

电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以创建定制的 SSR。以支持高频功率控制。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，