固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，涵盖白色家电、此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。特别是对于高速开关应用。从而实现高功率和高压SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。如果负载是感性的，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，模块化部分和接收器或解调器部分。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以及工业和军事应用。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。可用于创建自定义 SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，从而简化了 SSR 设计。在MOSFET关断期间，无需在隔离侧使用单独的电源，负载是否具有电阻性，以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，支持隔离以保护系统运行，工业过程控制、每个部分包含一个线圈，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

此外，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。