固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以创建定制的 SSR。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。航空航天和医疗系统。

此外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。每个部分包含一个线圈，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，还需要散热和足够的气流。可用于创建自定义 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，例如，模块化部分和接收器或解调器部分。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，如果负载是感性的，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。此外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并为负载提供直流电源。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以支持高频功率控制。因此设计简单？如果是电容式的，从而简化了 SSR 设计。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。无需在隔离侧使用单独的电源，负载是否具有电阻性，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以及工业和军事应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。供暖、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。通风和空调 （HVAC） 设备、