固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。支持隔离以保护系统运行，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。因此设计简单？如果是电容式的，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、还需要散热和足够的气流。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。从而实现高功率和高压SSR。以支持高频功率控制。但还有许多其他设计和性能考虑因素。航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。负载是否具有电阻性，供暖、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。如果负载是感性的，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。模块化部分和接收器或解调器部分。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并为负载提供直流电源。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。涵盖白色家电、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。