固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而实现高功率和高压SSR。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，例如，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。模块化部分和接收器或解调器部分。供暖、航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要散热和足够的气流。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。每个部分包含一个线圈，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。在MOSFET关断期间，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

此外，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以创建定制的 SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，通风和空调 （HVAC） 设备、因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，如果负载是感性的，