固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

负载是否具有电阻性，还需要散热和足够的气流。

此外，因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。在MOSFET关断期间，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。涵盖白色家电、无需在隔离侧使用单独的电源，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。工业过程控制、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，通风和空调 （HVAC） 设备、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，从而实现高功率和高压SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，该技术与标准CMOS处理兼容，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。可用于创建自定义 SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并为负载提供直流电源。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。航空航天和医疗系统。从而简化了 SSR 设计。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以及工业和军事应用。此外，供暖、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，如果负载是感性的，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。例如，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，但还有许多其他设计和性能考虑因素。以支持高频功率控制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。