固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

从而简化了 SSR 设计。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。工业过程控制、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

供暖、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以满足各种应用和作环境的特定需求。通风和空调 （HVAC） 设备、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。在MOSFET关断期间，以创建定制的 SSR。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，负载是否具有电阻性，