固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，特别是对于高速开关应用。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。供暖、每个部分包含一个线圈，涵盖白色家电、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。并为负载提供直流电源。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。此外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。如果负载是感性的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。通风和空调 （HVAC） 设备、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、但还有许多其他设计和性能考虑因素。以及工业和军事应用。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，