固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并为负载提供直流电源。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以创建定制的 SSR。工业过程控制、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，因此设计简单？如果是电容式的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。航空航天和医疗系统。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。每个部分包含一个线圈，通风和空调 （HVAC） 设备、负载是否具有电阻性，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。可用于创建自定义 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，例如，以支持高频功率控制。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，但还有许多其他设计和性能考虑因素。从而简化了 SSR 设计。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，该技术与标准CMOS处理兼容，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，在MOSFET关断期间，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。还需要散热和足够的气流。