固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以支持高频功率控制。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，从而简化了 SSR 设计。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以创建定制的 SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。该技术与标准CMOS处理兼容，特别是对于高速开关应用。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

此外，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而实现高功率和高压SSR。可用于创建自定义 SSR。

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。供暖、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，每个部分包含一个线圈，