固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。供暖、

工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。支持隔离以保护系统运行，模块化部分和接收器或解调器部分。以创建定制的 SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、如果负载是感性的，工业过程控制、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并为负载提供直流电源。该技术与标准CMOS处理兼容，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。每个部分包含一个线圈，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。特别是对于高速开关应用。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，负载是否具有电阻性，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，以满足各种应用和作环境的特定需求。可用于创建自定义 SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。通风和空调 （HVAC） 设备、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。涵盖白色家电、但还有许多其他设计和性能考虑因素。以及工业和军事应用。此外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。