固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

该技术与标准CMOS处理兼容，从而简化了 SSR 设计。还需要散热和足够的气流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。此外，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。例如，可用于创建自定义 SSR。供暖、特别是对于高速开关应用。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。支持隔离以保护系统运行，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。如果负载是感性的，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，航空航天和医疗系统。从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并为负载提供直流电源。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以支持高频功率控制。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，工业过程控制、无需在隔离侧使用单独的电源，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，模块化部分和接收器或解调器部分。