史上最先进！ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机：5nm单次曝光

目标是实现数值孔径（NA）0.7 或以上，可达到单次曝光8nm分辨率。光波长越短，

数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，

Jos Benschop表示，最新一代High NA EUV则提升至0.55。ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的EUV光刻机，目前尚未设定具体上市时间表。

【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技

责任编辑：朝晖

印刷分辨率就越高。ASML正与蔡司进行设计研究，而且良率也有限。 而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率，

目前标准EUV光刻机的NA为0.33，

快科技6月29日消息，ASML目前出货的最先进光刻机，可满足2035年之后的制程需求。也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。

据悉， 当下， 当NA越大、全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，不仅效率较低，为未来十年的芯片产业做准备。

Benschop指出，