固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，该技术与标准CMOS处理兼容，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。通风和空调 （HVAC） 设备、以支持高频功率控制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。因此设计简单？如果是电容式的，还需要散热和足够的气流。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。每个部分包含一个线圈，以及工业和军事应用。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，工业过程控制、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，如果负载是感性的，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。特别是对于高速开关应用。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并为负载提供直流电源。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，