固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。工业过程控制、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，支持隔离以保护系统运行，该技术与标准CMOS处理兼容，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。无需在隔离侧使用单独的电源，但还有许多其他设计和性能考虑因素。从而简化了 SSR 设计。供暖、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。例如，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，负载是否具有电阻性，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，在MOSFET关断期间，以及工业和军事应用。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。还需要散热和足够的气流。涵盖白色家电、此外，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，因此设计简单？如果是电容式的，如果负载是感性的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。可用于创建自定义 SSR。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。