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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
该技术与标准CMOS处理兼容,从而简化了 SSR 设计。以及工业和军事应用。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动,
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,在MOSFET关断期间,
基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、航空航天和医疗系统。电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。(图片来源:德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,以创建定制的 SSR。两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。可用于创建自定义 SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,如果负载是感性的,磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。(图片来源:英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用,从而实现高功率和高压SSR。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以满足各种应用和作环境的特定需求。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求,

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。无需在隔离侧使用单独的电源,

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