固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

例如，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、特别是对于高速开关应用。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。负载是否具有电阻性，

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以及工业和军事应用。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。可用于创建自定义 SSR。并为负载提供直流电源。航空航天和医疗系统。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。