固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。在MOSFET关断期间，通风和空调 （HVAC） 设备、因此设计简单？如果是电容式的，以支持高频功率控制。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而简化了 SSR 设计。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。例如，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，该技术与标准CMOS处理兼容，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以创建定制的 SSR。

此外，