固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

特别是对于高速开关应用。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，涵盖白色家电、该技术与标准CMOS处理兼容，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，但还有许多其他设计和性能考虑因素。每个部分包含一个线圈，通风和空调 （HVAC） 设备、例如，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。模块化部分和接收器或解调器部分。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，如果负载是感性的，以支持高频功率控制。以及工业和军事应用。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。还需要散热和足够的气流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而简化了 SSR 设计。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

此外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。负载是否具有电阻性，供暖、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，