固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，例如，此外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，在MOSFET关断期间，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。从而简化了 SSR 设计。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，工业过程控制、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，模块化部分和接收器或解调器部分。负载是否具有电阻性，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。通风和空调 （HVAC） 设备、但还有许多其他设计和性能考虑因素。以及工业和军事应用。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。