固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。支持隔离以保护系统运行，以支持高频功率控制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。负载是否具有电阻性，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，供暖、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，每个部分包含一个线圈，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。模块化部分和接收器或解调器部分。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。特别是对于高速开关应用。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。例如，通风和空调 （HVAC） 设备、