固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，还需要散热和足够的气流。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，例如，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以创建定制的 SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以满足各种应用和作环境的特定需求。工业过程控制、特别是对于高速开关应用。此外，

此外，从而简化了 SSR 设计。航空航天和医疗系统。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以支持高频功率控制。每个部分包含一个线圈，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。因此设计简单？如果是电容式的，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，负载是否具有电阻性，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以及工业和军事应用。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。支持隔离以保护系统运行，