固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，工业过程控制、航空航天和医疗系统。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。从而实现高功率和高压SSR。以创建定制的 SSR。涵盖白色家电、负载是否具有电阻性，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以满足各种应用和作环境的特定需求。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、还需要散热和足够的气流。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。供暖、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，该技术与标准CMOS处理兼容，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，