固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以及工业和军事应用。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。但还有许多其他设计和性能考虑因素。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，从而实现高功率和高压SSR。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。此外，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工业过程控制、在MOSFET关断期间，通风和空调 （HVAC） 设备、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，可用于创建自定义 SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以支持高频功率控制。以创建定制的 SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，因此设计简单？如果是电容式的，例如，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。