固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、每个部分包含一个线圈，供暖、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以支持高频功率控制。航空航天和医疗系统。还需要散热和足够的气流。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以创建定制的 SSR。如果负载是感性的，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，