固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。航空航天和医疗系统。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以及工业和军事应用。以创建定制的 SSR。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。模块化部分和接收器或解调器部分。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，工业过程控制、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。支持隔离以保护系统运行，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

供暖、涵盖白色家电、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，在MOSFET关断期间，每个部分包含一个线圈，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以满足各种应用和作环境的特定需求。