固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。支持隔离以保护系统运行，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以创建定制的 SSR。无需在隔离侧使用单独的电源，可用于创建自定义 SSR。负载是否具有电阻性，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，因此设计简单？如果是电容式的，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，模块化部分和接收器或解调器部分。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。