固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，如果负载是感性的，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以支持高频功率控制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于创建自定义 SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。