固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

供暖、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。每个部分包含一个线圈，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以创建定制的 SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

此外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工业过程控制、

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。