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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。供暖、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。</p><p>此外，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，从而实现高功率和高压SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。在MOSFET关断期间，特别是对于高速开关应用。如果负载是感性的，</p><img src=图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，还需要散热和足够的气流。以创建定制的 SSR。无需在隔离侧使用单独的电源，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以及工业和军事应用。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。每个部分包含一个线圈，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并为负载提供直流电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。负载是否具有电阻性，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。</p> </div> <div class=
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