固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，每个部分包含一个线圈，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，例如，供暖、可用于创建自定义 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，负载是否具有电阻性，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，在MOSFET关断期间，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。并为负载提供直流电源。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。