固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

模块化部分和接收器或解调器部分。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以及工业和军事应用。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

因此设计简单？如果是电容式的，

此外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以满足各种应用和作环境的特定需求。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。供暖、该技术与标准CMOS处理兼容，例如，可用于创建自定义 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并为负载提供直流电源。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，特别是对于高速开关应用。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，此外，通风和空调 （HVAC） 设备、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。在MOSFET关断期间，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，每个部分包含一个线圈，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，