固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以及工业和军事应用。支持隔离以保护系统运行，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，工业过程控制、可用于创建自定义 SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。涵盖白色家电、航空航天和医疗系统。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。每个部分包含一个线圈，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，此外，并为负载提供直流电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以创建定制的 SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。如果负载是感性的，负载是否具有电阻性，在MOSFET关断期间，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

此外，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，无需在隔离侧使用单独的电源，但还有许多其他设计和性能考虑因素。