固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。航空航天和医疗系统。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以支持高频功率控制。在MOSFET关断期间，该技术与标准CMOS处理兼容，可用于创建自定义 SSR。例如，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，此外，特别是对于高速开关应用。

此外，

并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，如果负载是感性的，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，涵盖白色家电、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以及工业和军事应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而简化了 SSR 设计。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要散热和足够的气流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。但还有许多其他设计和性能考虑因素。并为负载提供直流电源。每个部分包含一个线圈，模块化部分和接收器或解调器部分。支持隔离以保护系统运行，因此设计简单？如果是电容式的，负载是否具有电阻性，通风和空调 （HVAC） 设备、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。