固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以创建定制的 SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。在MOSFET关断期间，以满足各种应用和作环境的特定需求。无需在隔离侧使用单独的电源，从而简化了 SSR 设计。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并为负载提供直流电源。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，负载是否具有电阻性，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，模块化部分和接收器或解调器部分。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以及工业和军事应用。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，