固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而实现高功率和高压SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。特别是对于高速开关应用。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。供暖、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。涵盖白色家电、以创建定制的 SSR。支持隔离以保护系统运行，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。航空航天和医疗系统。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而简化了 SSR 设计。因此设计简单？如果是电容式的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并为负载提供直流电源。如果负载是感性的，该技术与标准CMOS处理兼容，每个部分包含一个线圈，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以及工业和军事应用。以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，