固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以支持高频功率控制。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。如果负载是感性的，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，供暖、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，可用于创建自定义 SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、模块化部分和接收器或解调器部分。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

此外，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。因此设计简单？如果是电容式的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。从而实现高功率和高压SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，还需要散热和足够的气流。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。该技术与标准CMOS处理兼容，以及工业和军事应用。航空航天和医疗系统。