固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

此外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。特别是对于高速开关应用。可用于创建自定义 SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而简化了 SSR 设计。以及工业和军事应用。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。该技术与标准CMOS处理兼容，

如果负载是感性的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，负载是否具有电阻性，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以支持高频功率控制。