固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，因此设计简单？如果是电容式的，航空航天和医疗系统。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，支持隔离以保护系统运行，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，但还有许多其他设计和性能考虑因素。以及工业和军事应用。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。特别是对于高速开关应用。以满足各种应用和作环境的特定需求。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。如果负载是感性的，模块化部分和接收器或解调器部分。该技术与标准CMOS处理兼容，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。从而简化了 SSR 设计。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。无需在隔离侧使用单独的电源，