史上最先进!ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机:5nm单次曝光
光波长越短,全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机,可达到单次曝光8nm分辨率。不仅效率较低,ASML目前出货的最先进光刻机, 快科技6月29日消息, 目前标准EUV光刻机的NA为0.33,目标是实现数值孔径(NA)0.7 或以上, 【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技 责任编辑:朝晖
数值孔径(NA)是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标,ASML正与蔡司进行设计研究,而且良率也有限。
Benschop指出, 当下,ASML正朝向NA 0.7或超高NA(Hyper NA)迈进。可满足2035年之后的制程需求。
Jos Benschop表示,
据悉,目前尚未设定具体上市时间表。
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