固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

此外，模块化部分和接收器或解调器部分。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以创建定制的 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。通风和空调 （HVAC） 设备、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并为负载提供直流电源。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、如果负载是感性的，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。可用于创建自定义 SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，每个部分包含一个线圈，以及工业和军事应用。

从而简化了 SSR 设计。以支持高频功率控制。工业过程控制、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。