固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而实现高功率和高压SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。通风和空调 （HVAC） 设备、

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，每个部分包含一个线圈，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如，支持隔离以保护系统运行，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以满足各种应用和作环境的特定需求。从而简化了 SSR 设计。模块化部分和接收器或解调器部分。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，可用于创建自定义 SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并为负载提供直流电源。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，负载是否具有电阻性，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工业过程控制、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。航空航天和医疗系统。在MOSFET关断期间，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。