固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，在MOSFET关断期间，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，每个部分包含一个线圈，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。还需要散热和足够的气流。

此外，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以及工业和军事应用。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并为负载提供直流电源。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以创建定制的 SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，特别是对于高速开关应用。从而实现高功率和高压SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。