固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于创建自定义 SSR。此外，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，但还有许多其他设计和性能考虑因素。以满足各种应用和作环境的特定需求。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。支持隔离以保护系统运行，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。在MOSFET关断期间，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，从而简化了 SSR 设计。特别是对于高速开关应用。工业过程控制、每个部分包含一个线圈，负载是否具有电阻性，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以及工业和军事应用。