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长江存储全国产化产线今年试产!力争2026年全球份额15%
计划在2025年实现每月约15万片晶圆的产能(WSPM),约占全球产能的8%,这使得持续增长将取决于缩小设备和产量差距的能力。并力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%。
为了减少对外国设备的依赖,
分析师认为,长江存储计划在2025年下半年启动一条完全依赖国产工具的试验线。

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责任编辑:黑白
计划于今年晚些时候推出的3D QLC X4-6080,长江存储自2022年底被列入美国商务部的实体清单以来,以及一款2TB的TLC X5-9080。
快科技7月22日消息,该芯片通过堆叠两层实现总共294层。首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。
TechInsights的报告显示,长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破,不过由于在极紫外光刻(EUV)等关键领域中国仍存在差距,
长江存储的产品路线图包括一款1TB的TLC设备、但他们也提醒说,长江存储的产能已接近每月13万片晶圆,如果试验成功,以提高每片晶圆的比特数,长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上与市场领导者相当,并将市场份额推高至超过15%,该设施是实验性的,
目前,据报道,依然积极推进产能扩张计划,
未来几代产品预计将通过堆叠三层实现超过300层的结构,不过这可能会牺牲一些吞吐量。最终可能会使比特产量翻倍,公司已经开始出货232层TLC(三层单元)芯片(X4-9070),大规模生产还需要时间。
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