固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

通风和空调 （HVAC） 设备、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以支持高频功率控制。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以及工业和军事应用。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、特别是对于高速开关应用。还需要散热和足够的气流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，在MOSFET关断期间，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并为负载提供直流电源。从而简化了 SSR 设计。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

此外，支持隔离以保护系统运行，